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IRF3515S/L
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
20
16
I D = 25A
V DS = 120V
V DS = 75V
V DS = 30V
10000
12
Ciss
8
1000
Coss
4
Crss
FOR TEST CIRCUIT
100
1
10
100
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80     100
120
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
1
T J = 175 ° C
T J = 25 ° C
100
10
10us
100us
1ms
0.1
0.2
0.6
1.0
V GS = 0 V
1.4         1.8
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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